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Disco Duro Samsung MZ-VAP1T0BW 1 TB SSD al mejor precio.
El disco duro SSD de 1 TB de la reconocida marca Samsung está diseñado para ofrecer un almacenamiento rápido y fiable, ideal para usuarios que requieren un rendimiento elevado en sus sistemas. Este dispositivo cuenta con conectividad M.2, que permite una instalación compacta y eficiente en placas base compatibles. Destaca por soportar tanto PCI Express 4.0 como PCI Express 5.0, tecnologías que aseguran una transferencia de datos ultrarrápida y un ancho de banda superior, optimizando el rendimiento en tareas exigentes como juegos, edición multimedia o aplicaciones profesionales. Su condición de unidad SSD garantiza tiempos de acceso significativamente menores y una mayor durabilidad frente a los discos duros mecánicos tradicionales. Además, presenta un diseño en color negro que combina con cualquier configuración de ordenador, aportando una estética moderna y sobria. Este disco duro es una solución avanzada para quienes buscan maximizar tanto la capacidad de almacenamiento como la velocidad de respuesta del sistema, beneficiándose de las últimas generaciones en tecnología PCIe. La combinación de capacidad, velocidad y compatibilidad técnica hace de este SSD de Samsung una opción equilibrada y preparada para futuros requerimientos tecnológicos.
- Tipo de Memoria: V-NAND TLC
- Disco Duro: 1 TB SSD
- Color: Negro
- Compatible:
- Tipo: SSD
- Seguridad: AES 256-bits
- Rango de temperaturas de trabajo: 0º / 70º
- Voltaje: 3,3 V
- Conexiones:
Samsung MZ-VAP1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14700 MB/s, Velocidad de escritura: 13300 MB/s, Componente para: PC/ordenador portátil
- SDD, capacidad: 1 TB
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- Interfaz: PCI Express 5.0
- NVMe: Si
- Tipo de memoria: V-NAND TLC
- Componente para: PC/ordenador portátil
- Encriptación de hardware: Si
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- Velocidad de lectura: 14700 MB/s
- Velocidad de escritura: 13300 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB): 1850000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
- Soporte S.M.A.R.T.: Si
- Soporte TRIM: Si
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
- Voltaje de operación: 3,3 V
- Consumo eléctrico promedio (lectura): 7,6 W
- Consumo eléctrico promedio (escritura): 7,2 W
- Ancho: 80,2 mm
- Profundidad: 2,38 mm
- Altura: 22,1 mm
- Peso: 9 g
- Tipo de embalaje: Caja
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
